Samsung 850 Evo SSD Series: posiblemente el mejor SSD SATA de 500 GB que puedas comprar.

Aunque Samsung es mas conocido entre el público mayoritario por su familia de smartphones Galaxy, lo cierto es que se trata de todo un gigante de la tecnología que fabrica desde electrodomésticos hasta coches; y si con sus teléfonos ha adquirido una gran fama (algo ensombrecida últimamente), no es menos cierto que desde que iniciaron su andanzas en el terreno del almacenamiento, no han dejado de recibir excelentes críticas. Tras vender su sección de discos duros a Seagate, este fabricante coreano se embarcó en las unidades de estado sólido allá por 2006, y desde entonces no han dejado de aportar hitos a este mercado, convirtiéndose a día de hoy en el fabricante de referencia y el máximo rival a batir por la competencia. Hoy queremos hacer un repaso en profundidad de los Samsung 850 Evo, pues éstos constituyen a día de hoy una de las familias de dispositivos SSD más interesantes que podamos adquirir.

Un poco de repaso a la historia del fabricante.

Samsung 850 Evo

Samsung es conocido a día de hoy por ser el primer fabricante del mundo en hacer uso de memoria flash 3D V-NAD, la cual se caracteriza básicamente por ser una memoria que se apila de forma vertical, lo cual conlleva ciertas ventajas en términos de rendimiento y durabilidad sobre la memoria de apilado horizontal. Este tipo de memoria conlleva además un notable ahorro de costes, ya que necesita de PCB más pequeños a la hora de almacenar los chips, lo cual permite además crear discos SSD de mayor capacidad dentro de un formato de 2.5 pulgadas. Tanto es así, que Samsung ha llegado hasta los 4 TB con su gama EVO, con recientes rumores de que la serie Pro también podría alcanzar dicha capacidad.

Si repasamos un poco la historia de Samsung en el mercado de SSD, vemos como han sido uno de los fabricantes más innovadores, ya que en 2008 fueron de los primeros en apostar por la memoria MLC (Multi Level Cell), cuando por aquel entonces la mayoría de SSD eran unidades muy caras que hacían uso de memora SLC, capaz de almacenar un único bit de información por celda. Los hitos siguieron en 2013, cuando crearon su primer SSD que trabajaba bajo PCIe (las primeras unidades comerciales aparecieron sobre 2007, eso sí) y cuando crearon su primer SSD con memoria V-NAND (128Gbit 24-capas 3D V-NAND), algo de lo que si que fueron precursores.

A pesar de todo lo anterior, el verdadero triunfo de Samsung ha sido apostar por la memoria TLC, una memoria de bajo coste capaz de almacenar 3 bits de información por celda, y que aunque despertó muchas suspicacias en un principio por crítica y usuarios debido a su menor durabilidad y rendimiento, ha demostrado formar un tándem perfecto junto a la tecnología 3D V-NAND del fabricante coreano.

A día de hoy Samsung ha diseñado SSDs con memoria de apilado vertical tanto MLC (Samsung 850 Pro) como TLC (Samsung 850 EVO), con capacidades que alcanzan hasta los 4 TB en el caso de la familia EVO y con densidades de hasta 48 capas para la unidad de 4TB y 32 capas para el resto de modelos. Esta tecnología permite además conseguir SSDs con una relación calidad/precio sobresaliente, lo que se además beneficiado por el hecho de que es la única empresa que se encarga de fabricar todos los componentes del SSD, desde las celdas de memoria hasta la controladora y  pasando por la memoria RAM que funciona como caché de disco; lo que le permite optimizar sobremanera todos los costes del proceso productivo.

MLC VS SLC VS TLC: ¿de que va todo esto?.

Samsung 850 EvoLlevamos un rato hablando de tipos de memoria, así que intentaremos resumir de la forma más breve posible el funcionamiento de cada una. Las unidades de almacenamiento SSD utilizan memoria de tipo NAND Flash, un tipo de memoria que no pierde la información almacenada cuando  se queda sin carga eléctrica. Las primeras unidades utilizan un tipo de celda capaz de soportar solo dos estados eléctricos, por lo que les permitía almacenar solo un bit de información con dos estados posibles, o y 1. Este tipo de memoria (a la que se bautizaría después como SLC o single level cell) tiene la ventaja de ser muy rápida, ya que la controladora solo tiene que revisar dos estados eléctricos, al mismo tiempo que su durabilidad es muy larga (100.000 ciclos de escritura), ya que en la misma solo se escribe un bit cada vez, por lo que sufre menos ciclos de escritura. Como punto en contra, su precio es bastante caro, ya que requiere muchos más chips de memoria para conseguir una determinada capacidad.

Después de la memoria SLC llego la MLC (múltiple level cell) la cual es capaz de almacenar 2 bits por celda y conseguir así hasta 4 tipos diferentes de estado (00,01,10,11). Esta memoria es menos rápida, ya que la controladora tiene que revisar más estados, y su durabilidad es menor, ya que se realizan el doble de escrituras en cada celda, aguantando entre 10.000 y 3.000 ciclos, dependiendo del proceso de fabricación usado. Como ventaja clara tenemos un precio menor, ya que necesita de menos chips de memoria para alcanzar una determinada capacidad de almacenamiento de datos).

Clases y características de memorias NAND flash
EstadosDurabilidad (ciclos)

Probabilidad de falloLectura aleatoriaPrecio
SLC1, 0100.000Prácticamente nula25µsAlto
MLC00, 01, 10 ,1110.000/5.000/3.000Muy baja50µsMedio
TLC000, 001, 010, 011 100, 101, 110, 1112.500/1.250/750Baja100µsMedio-Bajo

En lo que se refiere a la familia Samsung 850 Evo SSD Series, estos hacen uso de memoria TLC (Triple cell level), una memoria que como adivinarán nuestros lectores, es capaz de almacenar 3 bits por celda, dando lugar hasta 8 estados eléctricos (000, 001, 010, 011, 100, 101, 110, 111) y permitiendo por lo tanto almacenar mucha más información en cada celda de memoria.

Al igual que con la memoria MLC, se ven aumentados los puntos negativos, en forma de un mayor sacrificio en el rendimiento y la durabilidad, que se reduce a ciclos de escritura que oscilan entre los 2.500 y los 750 según su proceso de fabricación. A cambio, este memoria es más barata de producir y ha permitido que los SSD de grandes capacidades se hayan hecho mucho más asequibles para una gran parte del mercado.

A pesar de que en sus inicios esta memoria estaba asociada a SSD de bajo rendimiento, como veremos después, Samsung y el resto de fabricantes han conseguido alcanzar un equilibrio de rendimiento y durabilidad más que bueno con este tipo de memoria, lo que hace que a día de hoy los SSD con memoria SLC sean poco habituales y las gamas altas de los fabricantes (como la Pro de Samsung) se basen en memoria MLC.

En las Samsung 850 Evo se reúnen además varias tecnologías que consiguen importantes mejoras en varios aspectos. Sin ánimo de ponernos demasiado técnicos, con la arquitectura 3D V-NAND Samsung consiguió en un principio apilar de forma vertical hasta 24 capas de celdas, una cifra que luego aumentó hasta las 32 capas que utiliza toda la gama 850 EVO, a excepción del SSD de 4 TB que consigue apilar hasta 48 capas de celdas. Las ventajas de apilar la memoria son conseguir un mayor rendimiento, un menor consumo eléctrico (los Samsung 850 EVO son un 25% más eficientes que la serie 840 EVO) y ahorrar espacio de PCB, lo cual supone abaratar el coste de fabricación de un SSD. Para hacernos una idea, este tecnología permite crear una unidad SSD de 128 GB con un solo paquete compuesto por 8 chips también apilados de forma vertical, dentro de los cuales se encuentran 32 capas de memoria.

Diseño interno de la Samsung 850 Evo SSD Series.

Samsung 850 EvoPara entender las ventajas de la memoria de apilado vertical hay que tener en cuenta que si todos los chips de memoria se apilaran de forma horizontal, necesitaríamos PCBs (circuitos impresos o Printed Circuit Board) más grandes para albergar una determinada capacidad de memoria, lo que encarece el precio de la unidad. Como una forma de abaratar costes, los fabricantes redujeron el tamaño de los transistores a un proceso de fabricación de hasta 20 nm, pero una vez alcanzado dicho proceso, se dieron cuenta de que una mayor reducción en el tamaño de construcción de un chip (litografía) conllevaba ciertos inconvenientes técnicos en forma de fugas eléctricas y deficiencias de rendimiento inherentes a almacenar transistores de tan pequeños de forma horizontal. Al apilarse de forma vertical, Samsung se permite fabricar los transistores a 40nm, un proceso mucho más maduro y fiable, que aumenta la durabilidad de la celda y evita fugas eléctricas, al tiempo que le permite usar PCBs mucho más pequeños y necesita de menos dies (o chips) para conseguir una determinada capacidad de almacenamiento.

Samsung no solo apila las capas de memoria dentro de un chip, sino que al mismo tiempo también apila varios chips en un mismo encapsulado, lo que supone otro ahorro de costes que repercute positivamente en el consumidor, además de una mejora del rendimiento, ya que los 8 chips pueden ser accedidos de forma simultánea por la controladora del disco.

Samsung 850 Evo

Unidad de 120 GB del Samsung 850 Evo, donde se puede ver la controladora, la memoria RAM y un solo encapsulado de 8 dies con 32 capas cada uno.

Para el caso del Samsung 850 EVO de 120 GB, le basta un solo encapsulado de 8 chips con 32 capas cada uno para conseguir dicha capacidad. Esto quiere decir que cada chip de memoria multicapa es capaz de almacenar 16 GB (128 Gbits) de datos, lo que multiplicado por los 8 chips que hay dentro del encapsulado, nos da una capacidad de 128 GB con un solo encapsulado. Para el modelo de 250 GB contamos con el mismo PCB, solo que en este caso contamos con dos encapsulados, que se acompañan también de la controladora de memoria y la memoria RAM que actúa como caché del disco.

Las matemáticas son sencillas hasta llegar al modelo de 1 TB, donde la arquitectura se repite y se van multiplicando por 2 el numero de encapsulados hasta un total de 8 encapsulados en un PCB con 8 chips cada uno, con un total de 64 chips de 32 capas cada uno (64 x16GB=1024 GB).

Samsung 850 Evo

Unidad de 1TB a la izquierda con 4 encapsulados a cada lado de 128 Gbits cada uno. A la derecha, una unidad de 250 GB.

Es a partir de 1TB donde la cosa se complica, pues las limitaciones de espacio de una unidad de 2.5 pulgadas obligaron al fabricante a buscar nuevos métodos de almacenamiento de memoria, incapaces de aumentar la capacidad del PCB. En el caso del Samsung 850 Evo de 2TB, los coreanos han creado encapsulados (package) con hasta 16 chips o dies apilados, lo que consigue doblar la capacidad de almacenamiento usada para el modelo de 1 TB.

El Samsung 850 Evo de 4 TB es algo más complejo, pues ha sido la primera unidad en utilizar chips o dies con hasta 48 capas, por lo que se dobla la propia capacidad del chip de memoria hasta los 32 GB (256 Gbits), lo que, repitiendo un apilado de 16 chips por encapsulado, consigue un total de 4 TB repartidos en 512 GB por encapsulado (512 x8=4096 GB). Por ahora Samsung no ha lanzado al mercado esta capacidad para su serie Pro, pero los rumores más recientes apuntan a que un Samsung 850 Pro de 4TB podría hacer aparición en el próximo CES de las Vegas 2017. Eso sí, los modelos de 1 y 2 TB si han heredado la arquitectura de 48 capas, con leves mejoras de eficiencia y rendimiento frente a las primeras unidades.

Samsung 850 Evo

Diferencia de tamaño entre un die de 48 capas y otro de 32 capas.

Para que resulte un poco más claro, en la siguiente tabla se ve la estructura interna de cada uno de los integrantes de la familia Samsung 850 EVO:

Samsung SSD 850 EVO NAND Configurations
Capacity120GB250GB500GB1TB2TB4TB
Nº de paquetes NAND124888
Nº de “Dies” por paquete88881616
Total de “Dies”8163264128128
Capacidad de cada “Die”128Gbit128Gbit128Gbit128Gbit128Gbit256Gbit
Capacidad “Raw” de la NAND128GiB256GiB512GiB1024GiB2048GiB4096 GiB
Sobreaprovisionamiento12.7%9.1%9.1%9.1%9.1%9.1%

Controladora usada para los SSD Samsung 850 Evo.

Samsung 850 EvoYa hemos mencionado que Samsung se encarga de diseñar y fabricar todos los elementos presentes en sus SSD, y eso pasa por crear sus propias controladoras de datos, algo en lo que han demostrado también ponerse a la altura de los mejores fabricantes del mercado en muy poco tiempo. Para el caso de los Samsung 850 EVO, contamos con una controladora MGX para los tamaños de 500, 250 y 120 GB, la cual se compone de dos núcleos ARM Cortex R4 a una frecuencia que no hemos podido concretar. Este chip MGX supone una versión recortada del modelo MEX de 3 núcleos usado en le unidad de 1 TB  de capacidad; y es que según Samsung, la menor capacidad de estas unidades hace innecesario un tercer núcleo, mejorando así el consumo de la unidad. Aún así, y según algunas webs especializadas, esto puede derivar en ligeras bajadas de rendimiento respecto de las unidades con controladora de 3 núcleos, cuando sometemos al SSD a situaciones de carga muy compleja.

Por su parte, los modelos de 2TB y 4TB utilizan un tercer modelo de controladora denominada Samsung MHX que también se compone de 3 núcleos, pero que aumenta la capacidad de la memoria RAM usada como buffer (cache de la tabla LBA) hasta un total de 2GB y 4GB de memoria LPDDR3@1600 MHz respectivamente.

Tecnologías soportadas por los Samsung 850 EVO.

Samsung 850 Evo

Rapid Mode, o como usar nuestra RAM de sistema para mejorar el rendimiento de nuestro SSD.

Además de los avances de Samsung y otras compañías a la hora de diseñar la estructura física interna de un SSD, existen otros tipos de tecnologías que son capaces de mejorar de forma notable el rendimiento de una unidad de estado sólido. Os resumimos cuales son las utilizadas por los Samsung 850 Evo:

  • Protocolo SATA 3: aunque es bastante evidente a estas alturas, no está de más recordar que para sacar el mayor partido de las últimas unidades SSD del mercado, es necesario conectar la unidad a un puerto SATA 3 con un ancho de banda de 6.0GB/s y que proporciona rendimientos teóricos de hasta 600MB/s,. Y es que aunque todas las unidades son retrocompatibles y podemos conectarlas a un puerto SATA 2 sin ningún problema, su rendimiento se vería limitado a un máximo aproximado de unos 270 MB/s; lo cual sigue siendo superior a un disco mecánico y nos permite disfrutar de los menores tiempos de acceso de esta tecnología; pero sin dejar de suponer por ello una infrautilización del potencial que permiten las unidades SSD.
  • Rapid Mode: Este es el nombre puesto por Samsung a una tecnología de RAMDISK en la cual se utiliza parte de la memoria RAM de nuestro sistema como una caché para almacenar los archivos que usamos con más frecuencia. Los 850 Evo usan la versión 2.0 de esta tecnología, la cual nos permite usar hasta 4GB de memoria RAM cuando tenemos instalado un mínimo de 16 GB en nuestro ordenador. Si tenemos en cuenta que la familia 840 Evo permitía usara un máximo de 1 GB de nuestra memoria RAM, se puede ver que ahora tenemos cuatro veces más de capacidad para almacenar datos de uso frecuente, lo cual aumenta de forma más que notable las operaciones de lectura y escritura de dichos datos (sobre todo las de tipo aleatorio).

Aún así, esta tecnología no está exenta de detractores que dicen que su funcionamiento no siempre es el adecuado y que a cambio mantiene ocupada parte de nuestra memoria RAM. Y es que tenemos que tener en cuenta que para poder vernos beneficiados por la misma, es necesario que usemos de forma repetida los mismos datos, pues si no, la memoria RAM se irá llenando cada vez con datos diferentes que no se verán beneficiados de la enorme velocidad de la misma cuando estos vayan a ser accedidos posteriormente por la controla, pudiendo incluso, en según que escenarios, disminuir la velocidad del SSD, ya que la controladora se tiene que ocupar de almacenar los datos en la memoria RAM del sistema. Para poder activar el RAPID modo es necesario hacerlo a través del software Magician de Samsung en su versión 4.5 o posterior.

Samsung 850 Evo

Con la tecnología Turbowrite de Samsung, las velocidades de escritura secuencial y aleatoria mejoran de forma notable.

  • Turbowrite: Esta tecnología es más interesante que la anterior, y aunque no es exclusiva de Samsung, este fabricante es de los que mejor partido han sabido sacarle. Para entender esta tecnología hay que repasar un poco el funcionamiento de un SSD. Ya os hemos contado que existen varios tipos de celdas de memoria con la capacidad de albergar 1, 2 o 3 bits. Bien, las controladoras actuales no usan las celdas de forma completa todo el tiempo, sino que reparten los datos entre el mayor número de celdas posible, siendo el peor escenario posible aquel en el cual el SSD ha usado toda su capacidad, pues esto significa que un SSD con memoria TLC esta almacenando 3 bits en cada una de sus celdas. La cuestión es que mientras queda espacio en el SSD, la controladora reparte de forma homogénea el desgaste de las celdas, de tal forma que la controladora tenga que “buscar” lo menos posible dentro de cada celda para obtener la información pertinente.

Con esto en mente, la tecnología Turbowrite lo que hace es crear una especie de unidades SSD de tipo “mixto”, en las cuales, una parte de la memoria TLC funciona como SLC. Según hemos entendido, dentro de cada chip o die, la propia Samsung incluye un segmento de memoria de tipo SLC, lo cual significa que cuando llevemos a cabo operaciones de escritura con un tamaño inferior al de dicho “buffer SLC”, la controladora se encarga de almacenar dichos datos en el segmento de memoria que trabajo en modo SLC, consiguiendo el rendimiento de una unidad SLC, pero sin pagar el coste de una SSD que solo integre este tipo de memoria.

Como este buffer SLC es limitado, la controladora de los Samsung 850 Evo (y demás SSD con esta tecnología) se encarga de pasar esos datos escritos en memoria SLC a la memoria TLC cuando la unidad este en reposo, dejando libres esas celdas SLC para nuevas operaciones de escritura que se beneficiarán de este modo de un funcionamiento mucho más rápido. Hay que tener en cuenta que en las unidades de mayor capacidad, los beneficios de esta tecnología son menores, pues la controladora tiene celdas de sobra para repartir la escritura, por lo que casi todas las operaciones de escritura funcionarán en modo SLC aprovechando al máximo del ancho de banda del protocolo SATA 3. En cambio, las unidades de 120 y 250 GB de capacidad, son las que ven mejoradas sus operaciones de escritura de forma significativa con esta tecnología, sobre todo cuando hablamos de escritura aleatoria, donde los 850 EVO son capaces de arrojar hasta 88.000 IOPS frente a las 36.000 IOPS  que alcanzaban los 840 Evo de menor capacidad, los cuales tocaban techo alrededor de los 400MB/s en sus operaciones de escritura.

Hay que tener en cuenta que con esta tecnología estaremos limitados por el tamaño del buffer, pues si llevamos a cabo de forma sostenida una operación de escritura que sobrepase el tamaño del buffer SLC, la controladora escribirá la información directamente en la memoria TLC, con la disminución de rendimiento que ello conlleva.

Aunque después os mostraremos una tabla con los datos de rendimiento máximo de cada unidad, en esta tabla se puede apreciar el aumento de rendimiento en operaciones de escritura de los Samsung 850 Evo cuando se hace uso de la tecnología TurboWrite (no disponemos de los datos para las unidades de 2 y 4 TB):

Rendimiento de escritura con y sin TurboWrite  de los Samsung 850 EVO
CapacidadTamaño bufferCon TurboWriteSin TurboWrite
Escritura secuencial4KB Escritura aleatoria (QD32)Escritura secuencial4KB Escritura aleatoria (QD32)
120GB3GB520MB/s88K IOPS150MB/s38K IOPS
250GB3GB520MB/s88K IOPS300MB/s70K IOPS
500GB6GB520MB/s90K IOPS500MB/s80K IOPS
1TB12GB520MB/s90K IOPS520MB/s80K IOPS

 ¿Duran tan poco las unidades TLC como se suele decir?.

Samsung 850 Evo

Una caja de color blanco donde Samsung ya publicita sus tecnología 3D V-NAND.

No, la respuesta no. Esto es uno de los mayores mitos que existe en el mundo de la informática. Está claro que los SSD que usan celdas de triple nivel tienen una vida útil mucho menor que las que usan memoria MLC o SLC, pero eso no quiere decir que tengamos que vivir angustiados pensando que nuestro SSD va a morir de un momento a otro.

Las controladoras actuales se encargan de repartir de forma muy eficiente el desgaste de las celdas de memoria, al tiempo que el protocolo TRIM se encarga de mantener el rendimiento del SSD de la forma más optima posible, haciendo que el sistema operativo comunique a la controladora del SSD que datos puede o no borrar.

De esta forma, y con las mejoras aportadas por la tecnología de apilado vertical, los Samsung 850 Evo han duplicado la durabilidad (TBW o Terabytes escritos) de los 840 Evo, con una capacidad que se eleva desde los 43 a los 75 TBW en los modelos de 120 y 250 GB, y que vuelve a duplicarse hasta los 150 TBW en los modelos de 500 GB y 1 TB. En los modelos más extremos de 2 y 4 TB, tendremos a nuestra disposición un total de 300 TBW antes de que la unidad empiece a fallar, lo cual es de lejos una fiabilidad muy superior a la de un disco duro mecánico normal.

Samsung 850 Evo

Las unidades SSD actuales son unos de los dispositivos más fiables del mercado.

Para que nos hagamos una idea de la durabilidad de estos dispositivos,  las unidades de 120 y 250 GB de los Samsung 850 Evo son capaces de soportar un total de 21 años escribiendo 10 GB al día, un uso muy superior al de un SSD normal destinado a albergar el sistema operativo. Si fuéramos usuarios muy “hardcore” y escribiéramos 50 GB al día, aún así, las unidades de menor capacidad aguantarían 4 años sin fallar, mientras que las de 500 GB y 1 TB durarían 8 años antes de tener algún problema, una cifra que se eleva a los 16 años para el caso de las unidades de 2 y 4 TB, ¿es para estar tranquilos, no?

Aparte de establecer un máximo de TBW, Samsung establece además una generosa garantía de 5 años para el caso de que la unidad falle durante ese tiempo sin que se haya superado el máximo de TBW establecido por el fabricante (la mayoría de fabricantes dan 3 años para las unidades TLC).

Por si fuera poco, las actuales unidades SSD usan lo que se conoce como sobreaprovisionamiento, que viene a ser un porcentaje de la capacidad total de la unidad  que es invisible para el sistema operativo y que se usa por la controladora para diversas tareas como “recolección de basura”, amplificación de escritura, gestión del uso y desgaste de los bloques o la corrección de errores. Esta memoria reservada, en términos generales, es utilizada para optimizar las instrucciones de lectura y escritura vaciando “páginas” de un SSD que están en desuso, repartiendo el desgaste de las celdas y optimizando el rendimiento de la unidad, lo cual influye además de forma positiva en la durabilidad del SSD. Es por este motivo que las unidades de mayor capacidad, al tener un mayor espacio destinado a sobreaprovisionamiento, también tiene una tasa de TBW mayor (además de por su mayor capacidad en sí).

Especificaciones técnicas y rendimiento de los Samsung 850 Evo.

A continuación os dejamos una tabla con todos los datos más técnicos resumidos para verlos de un simple vistazo:

 Samsung 850 Evo SSD Series (2.5 pulgadas)Capacidades4TB 2TB1TB500 GB250 GB120 GB
Memoria de almacenamientoSamsung 256Gbit 40 nm  TLC V-NAND 48 capas (3ª Gen.)Samsung 128Gbit 40nm TLC V-NAND 32 capas (2 ª Gen.)
Memoria caché4GB LPDDR32GB LPDDR31GB LPDDR3512MB LPDDR2256MB LPDDR2
ControladorSamsung MHXSamsung MEXSamsung MGX
InterfazSATA III (6,0 Gbit/seg, retrocompatible con 3,0 Gbit/seg y 1,5 Gbit/seg)
Velocidad máxima de transferencia6,0 Gbit/seg
Tecnología de velocidad avanzadaSamsung RAPID
Cola de comandos nativa (NCQ)
Soporte S.M.A.R.T
Algoritmo de recogida de “basura”
Modo de solo lectura
MTTF1,5 Millones de horas
Durabilidad/ TBW300 TBW150 TBW75 TBW
Soporte TRIM
Soporte Smart
EncriptaciónEncriptación AES 256 bit (Clase 0), TCG / Opal, IEEE1667
Soporte Modo Suspensión
Resistencia1.500 G & 0,5 ms
Vibraciones20-2000Hz, 20G
Temperatura en funcionamientoOperativa: 0°C to 70°C No-Operativo: -40°C to 85°C
Consumo de energía
  • En activo: 3,7- 4-4 Watios (4.7 watios modelo de 2 TB)
  • Sin actividad: Max. 50 mWatts
  • Modo Hibernación: 2-10 mW (según modelo)
Dimensiones100 x 69,85 x 6,8 (mm)
Peso45-66 gramos (según capacidad)
Garantía5 años
Rendimiento – Velocidad de lectura secuencialHasta 540 MB/seg
Rendimiento – Velocidad de escritura secuencialHasta 520 MB/seg
Lectura Aleatoria (4KB,QD1)10,000 IOPS
Lectura Aleatoria(4KB,QD32)98,000 IOPS97,000 IOPS94,000 IOPS
Escritura Aleatoria (4KB,QD1)40,000 IOPS38,000 IOPS
Escritura Aleatoria (4K,QD32)90,000 IOPS88,000 IOPS
Código ECC
Software de herramienta de utilidadesMagician Software para la gestión SSD
Software de herramienta de copiadoSamsung Migration
Contenido de la cajaUnidad de estado sólido Samsung 950 EVO, Documentación, CD de Drivers.

Para la elaboración de este artículo hemos utilizado diversas fuentes, pero a continuación os mostraremos los gráficos de la web guru3d.com, ya que en su día probaron la unidad de 500 GB de capacidad, la cual nos parece la más interesante de todas por su relación calidad/precio. Este web usa una suite de pruebas bastante completa y que con algunas adaptaciones, usaremos en Gizcomputer cuando hagamos análisis en vivo de unidades SSD. Estos son los test utilizados:

Atto Disk Benchmark.

Esta utilidad es muy interesante porque nos muestra el tamaño de los bloques usados para las operaciones de lectura y escritura, permitiendo crear gráficos del comportamiento de la unidad según el tamaño de archivo leído o escrito.

En estos gráficos se puede observar como los Samsung 850 Evo han mejorado de forma sobresaliente su rendimiento en operaciones de lectura y escritura con bloques de 4 y 8 KiB, con un rendimiento en escritura mejorado con todos los tamaños de bloque utilizados y que se sitúa por encima de otras unidades TLC del mercado.

PCMark Vantage 64-bit.

El test de discos de PCMark Vantage lleva a cabe una serie de pruebas que simulan los distintos usos que se le puede dar a un SSD destinado al sistema operativo, y que pasan desde usar Windows Defender a ejecutar un juego. Además de darnos los resultados en MB/S, nos da una puntuación final que permite comprar más fácilmente diversas unidades SSD. Una buena forma de predecir el rendimiento de una unidad bajo uso real.

Crystal DiskMark

Un clásico usado por la mayoría de webs y que ya usados en nuestro primer artículo acerca de los Toshiba Q300. Este test realiza diferentes operaciones de lectura y escritura, tanto aleatoria como secuencial, con diferentes tamaños de bloques de datos y con una o 32 colas de datos. Con este test se puede ver como el Samsung 850 EVO de 500 GB rinde de forma extremadamente similar a su hermano mayor, el 850 Pro en su versión de 1 TB, al tiempo que también mejora los resultados de otras unidades de la competencia, sobre todo en operaciones de lectura y escritura aleatoria con bloques de 4Kibibytes.

HD Tune Pro 5.5

Este programa es uno de lo más completos del mercado, ya que nos permite no solo revisar la salud de nuestra unidad, sino también hacer test de lectura y escritura tanto aleatoria como secuencial, pudiendo decidir tanto el número de colas de datos utilizadas como el tamaño de los archivos usados a lo largo de toda una serie de bloques de datos.

Como se puede ver, el Samsung 850 Evo ocupa los primeros puestos, siendo casi siempre superado por unidades que trabajan bajo PCIe.

IOMeter

Este veterano test esta centrado en analizar el rendimiento aleatorio de nuestra unidad, con resultados tanto en MB/s como en IOPS (Operaciones de entrada/salida por segundo), junto al tiempo de respuesta de la unidad y el uso de cpu por parte de la misma. Nuevamente, tenemos un rendimiento que se sitúa entre los mejores del mercado.

AS SSD Benchmark

Este test realiza pruebas de diversos tipos arrojando una puntuación final. También es capaz de probar una unidad SSD con diferentes niveles de datos comprensibles e incomprensibles, para ver como afecta esto al rendimiento de la unidad. Sorprendentemente, en este test el Samsung 850 Evo queda por delante de su hermano mayor con memoria MLC.

HD Tach

Este test utiliza un modo kernel que ofrece resultados muy precisos, ya que se “salta” el sistema de archivos del sistema, lo que permite realizar comparativas entre unidades con independencia de su sistema de archivos. Nos ofrece los resultados de velocidad media (no pico) tanto de lectura como escritura de la unidad, además de su tiempo de acceso aleatorio, uno de los factores que más influyen en el rendimiento de un SSD. Como se puede ver, las velocidades media de lectura y escritura del Samsung 850 Evo se encuentran entre lo mejor del mercado. Solo cuando llevamos acabo una escritura de mas de 350 GB vemos como el rendimiento desciende a la franja de los 350/400 MB/s.

Anvil’s Storage Utilities

Este último test no solo nos da una puntuación global de forma similar a PCMark 8, sino que también nos da los resultados de lectura y escritura de la unidad con 1, 4 o 16 colas de daos, además de trabajar con bloques de diferentes tamaños. Por si fuera poco, también nos da el tiempo de acceso de la unidad para cada una de estas operaciones. Siguiendo con la tendencia de los demás test, el Samsung 850 Evo de 500 GB se comporta de forma excepcional con unos tiempos de respuesta que no pasan de los 8 ms ni trabajando con bloques de 4MB. Como se puede ver, los IOPS conseguidos con bloques de 4 KiB  y 16 hilos de trabajo se acercan mucho a los valores de 980.000 y 90.000 IOPS publicitados por el fabricante para operaciones de 4 KiB con 32 colas o hilos de trabajo.

Conclusiones, disponibilidad y precio de los Samsung 850 Evo.

Samsung 850 EvoEstá claro que la fama que el fabricante coreano ha adquirido en el mercado del almacenamiento SSD es más que merecida, como así lo demuestran los numerosos test mostrados, con resultados que encabezan todas las gráficas y que superan a veces incluso a unidades MLC de mayor precio.

El Samsung 850 Evo es un SSD que se puede adquirir en varios tamaños, aunque las más asequibles para el público mayoritario son las unidades de 120 GB (MZ-750120BW), 250 GB (8MZ-75E250B/EU) y 500 GB (MZ-75E500B/EU), siendo además las que más se benefician de tecnologías como la memoria VNAND o el “Turbowrite”.

El modelo de 500 GB supone, según nuestro punto de vista, uno de los SSD más atractivos, ya que con la bajada de precios que los SSD han experimentado a los largo del 2016, es posible adquirir un nivel de capacidad más que notable que nos permite sustituir perfectamente a un disco mecánico. Esa unidad se adapta por lo tanto a aquellos usuarios que no necesiten de una gran capacidad de almacenamiento, siendo además un SSD idóneo para reemplazar el disco mecánico de nuestro portátil, mejorando su tiempo de arranque y velocidad de respuesta de una forma extraordinaria. Os dejamos por aquí un par de enlaces de compra.

PROS:

  • Diseño atractivo.
  • Calidad de construcción.
  • Precio (para los tamaños de 120, 250 y 500GB)
  • Rendimiento muy bueno en toda la gama.
  • Durabilidad superior a otras unidades TLC.
  • Excelente consumo y temperaturas.
  • Software muy completo.

CONTRAS:

  • Precio de los modelos de 1 TB y superiores.

Fuentes: www.guru3d.com, www.tomshardware.com, www.samsung.com, www.trustedreviews.com, www.anandtech.com.

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